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自备增率基于非平衡态格林函数方法的电子输运计算结果显示在1.0V电压作用下Cr基MXene的磁阻变化率超过了400%。图1.Cr2CF2结构俯视图与侧视图，电市以及Au/Cr基MXene/Au组成的磁阻器件示意图。

场复【小结】准二维磁性材料在电子器件领域中具有非常大的应用前景。其在基态下，合年上下两层Cr原子层具有不同的自旋方向，中间的C原子层类似于绝缘层，整体结构与Fe/MgO/Fe的三明治结构非常相似，见图1。其次，印度在制备磁阻器件的同时保持稳定的金属氧化物界面也是另一个重要挑战。

然而，自备增率这对相应的实验制备技术要求非常高。其被广泛应用于磁传感、电市磁存储(磁卡、硬盘)等领域。

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